Single-ZnO-Nanobelt-Based Single-Electron Transistors

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• 来源
  《中国物理快报：英文版》 |2014年第6期|175-177|共3页
• 作者

  纪晓凡; 徐征; 曹硕; 邱康生; 唐静; 张喜田; 许秀来;

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• 作者单位

  Institute of Optoelectronics Technology;

  Beijing Jiaotong University;

  Beijing 100044;

  Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics;

  Institute of Physics;

  Chinese Academy of Sciences;

  Beijing 100190;

  Heilongjiang Key Laboratory for Low-Dimensional System and Mesoseopic Physics;

  School of Physics and Electronic Engineering;

  Harbin Normal University;

  Harbin 150025;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体三极管（晶体管）;特种结构材料;
• 关键词

  单电子晶体管; 氧化锌纳米带; 基础; 偏置电压; 库仑阻塞; 库仑振荡; 微制造技术; 使用标准;