首页> 中文期刊> 《中国物理快报:英文版》 >Influence of Dopants in ZnO Films on Defects

Influence of Dopants in ZnO Films on Defects

         

摘要

在缺点上的 ZnO 电影的掺杂物的影响被慢正电子歼灭技术调查。参数遇见的结果表演 S S 艾尔 S un S 为做 Al 的 ZnO 电影, undoped 和做 Ag 的 ZnO 的 Ag 拍摄。锌空缺与不同掺杂物在所有 ZnO 电影被发现。根据 S 参数和一样的缺点类型,锌空缺集中在做 Al 的 ZnO 电影是最高的,这能被导致,并且它是在做 Ag 的 ZnO 电影的最少。当艾尔原子在在硅底层上种的 ZnO 电影被做时, Zn 空缺作为与 undoped 和做 Ag 的 ZnO 电影相比增加。当锌空缺的缺点形成精力强烈取决于费密水平的位置时,掺杂物集中能在材料决定费密水平的位置,因此它的集中与掺杂物元素和掺杂物集中变化。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号