首页> 中文期刊> 《中国物理快报:英文版》 >Optoelectronic Characteristics and Field Emission Properties of Indium-Doped Tin Oxide Nanowire Arrays

Optoelectronic Characteristics and Field Emission Properties of Indium-Doped Tin Oxide Nanowire Arrays

         

摘要

单个做铟的听氧化物的 Optoelectronic 特征(In-SnO 2) nanowires 被与紫外照明开/关圆执行运输测量调查。水流很快在紫外照明下面从 0.15 ~ 55 nA 增加,它被归功于到搬运人集中的增加和表面弄空的减少。有效、稳定的地排放从 In-SnO 2 nanowire 数组被获得。当前的密度直到在 3.4 V/μm 的 17 妈 / 厘米 2 ,并且变化是不到 1% 。排放行为是完美地与 Fowler Nordheim 理论一致。我们的结果暗示 2 nanowires 为紫外察觉者和地排放显示正在答应候选人的那 In-SnO。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号