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Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis

         

摘要

MOSFET 的 gate-induced-drain-leakage 被分析更好理解 SiGe 隧道地效果晶体管和他们的 band-to-band 通道机制的次于最低限度的秋千降级。分析的数字模型被详细描述。相等的陷井精力层次为 Si 被提取并且拉紧 SiGe。在 SiGe 的相等的陷井精力水平在 Si 是比那浅的,这被发现。

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