Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application

著录项

• 来源
  《中国物理快报：英文版》 |2010年第10期|206-209|共4页
• 作者

  任堃; 饶峰; 宋志棠; 吴良才; 周夕淋; 夏梦娇; 刘波; 封松林; 席韡; 姚栋宁; 陈邦明;

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• 作者单位

  State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics;

  Laboratory of Nanotechnology;

  Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology;

  Chinese Academy of Sciences;

  Shanghai 200050;

  Graduate School of the Chinese Academic of Sciences;

  Beijing 100049;

  Silicon Storage Technology;

  lnc.;

  1171 Sonora Court;

  Sunnyvale;

  CA 94086;

  U.S.A.;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 存贮器;微处理机;
• 关键词

  相变存储器; 存储材料; 低功耗; Ge2Sb2Te5; 应用; 相变材料; 溅射靶材; 复合材料;