• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《中国物理快报：英文版》 >Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials

Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

低密度的材料，商业地可得到的 hydrogensilsesquioxane (HSQ ) 提议一个低绝缘的常数。HSQ 电影能被纺纱在免职(草皮) 上获得。在这个工作， low-dielectric-constant HSQ 电影被把 D5 (decamethylcyclopentasiloxane ) 用作牺牲的多孔的材料准备。硅石电影的绝缘的常数显著地从 3.0 ～ 2.4 变化。在在真空在在 400 ° C 为 1.5 h 周围、退火的氮为 1.5 h 在 300 ° C， 400 ° C，和 500 ° C 退火了以后，我们在与他们的作文的关系报导这些电影的结构的方面。Si -- 哦在在真空为 1.5 h 在 400 ° C 退火了以后，出现。结果显示合适的条件在氮周围。Si-H 山峰的紧张与增加的温度增加。Fourier 变换红外线的光谱学被用来识别 Si-O-Si 契约和另外的可能的契约的网络结构和笼子结构。绝缘的经常的 k 被在氮为 1.5 h 在 350 ° C 退火显著地降低周围。I-V 和 C-V 大小被用来决定绝缘的常数，电的抵抗力和故障电场。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号