High Performance Long Wavelength Superlattice Photodetectors Based on Be  Doped Absorber Region

周易; 陈建新; 徐志成; 王芳芳; 徐庆庆; 许佳佳; 白治中; 靳川; 何力

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效果在量效率和分子横梁的取向附生在 GaSb 底层上种的 InAs/GaSb 长波长的红外线的超点阵光电探测器的黑暗电流上正在做被报导。有做的 p 类型的量效率(QE ) 的重要改进被表明。我们在 2.5 × 正在做水平的结果表演；10 15 厘米 3 给最高的量产品 28% 的效率。我们也证明增加的 QE 是不仅源于更长的少数搬运人散开长度，而且 pn 连接地点变化。最后，结果也证明有 2.5 × 的做的密度的样品；10 15 厘米 3 作为 8.68 × 有最大的 D * ；是非有意做的那的几乎五次 D * 的 10 10 cmHz 1/2 W 1, 。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2014年第10期|149-152|共4页
作者
周易; 陈建新; 徐志成; 王芳芳; 徐庆庆; 许佳佳; 白治中; 靳川; 何力;
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作者单位

Key Laboratory of Infrared Imaging Material and Detectors;

Shanghai Institute of Technical Physics;

Chinese Academy of Sciences;

Shanghai 200083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
p型掺杂; 光电探测器; 超晶格; 长波长; 减震器; 量子效率; 性能; GaSb;

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