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胡贵州; 杨凌; 杨丽媛; 全思; 姜守高; 马骥刚; 马晓华; 郝跃;
Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices;
Xidian University;
Xi'an 710071;
高电子迁移率晶体管; 氮化铝; 氮化镓; 结构化; HEMT器件; 特性; 阈值电压漂移; 最高振荡频率;
机译:Improved dc characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on AlN/sapphire templates
机译:Low dose Co-60 gamma-irradiation effects on electronic carrier transport and DC characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
机译:Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack
机译:初始AlN成核层顶部初始ALN核核液体和垂直漏电流AlGaN缓冲层的关系与AlGaN / GaN高电子 - 迁移率晶体管结构的垂直漏电流
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:评论'第1 ALN和第2 GAN层对ALGAN / 2ND ALN / 2ND GAN / 1ST ALN /第一个GAN结构'的性能
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:P-GaN / AlGaN / AlN / GaN增强模式场效应晶体管
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