Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence  Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells

赵德刚; 江德生; 朱建军; 刘宗顺; 张书明; 王玉田; 杨辉

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Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells

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电镀物品光(EL ) 上的接口粗糙和脱臼密度的效果 InGaN 多重量井(MQW ) 的紧张被调查。EL 紧张在 InGaN MQW 样品的 X 光衍射实验与卫星山峰的数字增加，这被发现。不平的接口将带 InGaN MQW 样品的 EL 紧张的减小，这被显示。EL 紧张与被 X 光衍射大小描绘的脱臼密度的减少增加，这也被发现。InGaN MQW 的 EL 紧张能被减少改进，这被建议接口粗糙和脱臼密度。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第11期|4143-4146|共4页
作者
赵德刚; 江德生; 朱建军; 刘宗顺; 张书明; 王玉田; 杨辉;
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作者单位

State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics;

Institute of Semiconductors;

Chinese Academy of Sciences;

PO Box 912;

Beijing 100083;

Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics;

Chinese Academy of Sciences;

Suzhou 215125;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类量子论;
关键词
界面粗糙度; 位错密度; 电致发光; 量子阱;

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