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Growth and Magnetic Properties of Zincblende CrSb Epilayers on Relaxed and Strained (In, Ga)As Buffers

         

摘要

有房间温度强磁性的 Zincblende CrSb (zb-CrSb ) 层被种了在上放松并且尽力(在里面, Ga ) 作为取向附生地准备在上的缓冲区层(001 ) 由分子横梁的取向附生的 GaAssubstrates。在二个盒子下面制作的 CrSb 层的结构的描述被使用擦伤发生 X 光衍射(GID ) 的同步加速器学习。GID 实验的 Theresults 显示第二个阶段的迹象都不在所有 zb-CrSb 层存在。超导的量干扰设备大小证明在上成年的 zb-CrSblayers 的厚度放松了并且尽力(在里面, Ga ) 当缓冲区层能被增加到类似于 12monolayers (类似于 3.6nm ) ,与相比类似于 3 单层(类似于 1nm ) 在上 GaAsdirectly。

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