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Improved Surface Characteristics and Contact Performance of Epitaxial p-AlGaN by a Chemical Treatment Process

         

摘要

取向附生的 380-nm-thick p-Al0.091Ga0.909 N 材料没有并且与特殊表面化学药品处理的比较学习系统地被执行。在处理过程以后,深水平在 10 K 光致发光光谱的发光山峰由于表面氮空缺 V-N 的减少被消除相关有缺点的地点,当在原子力量显微镜学测量的 surfaceroot-mean-square 粗糙被如此的一个表面准备方法从 0.395 nm to0.229 nm 减少时。而且,表面接触 withNi/Au 双性人层金属电影的表演显然与 Schottky 障碍高度 of55 兆电子伏的减小被改进。X 光光电子光谱学(XPS ) 结果在被认为是原因的处理以后显示出一个著名表面元素内容变化上述表面特征改进。

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