Enhancement of Photoluminescence Intensity of GaInNAs/GaAs Quantum Wells  by Two-Step Rapid Thermal Annealing

赵欢; 徐应强; 倪海桥; 韩勤; 吴荣汉; 牛智川

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Enhancement of Photoluminescence Intensity of GaInNAs/GaAs Quantum Wells by Two-Step Rapid Thermal Annealing

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我们调查在 InGaNAs/GaAs 量井上的快速的热退火的效果。在优化退火的温度和时间，光致发光紧张的最大的改进被一个专辑获得二拍子的圆舞退火过程。为了识别在快速的热退火的、微分温度分析期间影响材料质量的机制，被使用，并且温度依赖者和力量依赖者光致发光在样品上被执行在不同条件下面退火了。我们的实验表明一些作文再分配或另外的相关的订过程可以在退火期间发生在量井层。当在一短时间在更高的温度退火首先一致时，首先很长时间在更低的温度退火能移开缺点和脱臼在量井的作文。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2006年第9期|2579-2582|共4页
作者
赵欢; 徐应强; 倪海桥; 韩勤; 吴荣汉; 牛智川;
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作者单位

State Key Laboratory for Superlattice and Microstructures;

Institute of Semiconductors;

Chinese Academy of Sciences;

PO Box 912;

Beijing 100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类量子论;
关键词
光致发光; 量子阱; 热退化; 材料品质;

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