Capping-Barrier Layer Effect on Quantum Dot Optoelectronic Characteristics

A. Rostami; H. Rasooli Saghai; H. Baghban; N. Sadoogi; Y. Seyfinejad

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Capping-Barrier Layer Effect on Quantum Dot Optoelectronic Characteristics

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我们在场塑造盒子、球形形状的量的电镀物品光的性质上的层( CBL )效果点的帽子障碍以及增加CBL宽度在第三顺序的光非线性的危险性导致可观的改进，这被显示出的QDs数组的电子运输的研究(在二次的电镀物品眼的效果的 14 次， o = o0/3 的 31 次和在第三泛音代的 o = o0 的 14 次)。帽子障碍层能因此在设计 quantum-dot-based 设备的电镀物品光的说明作为自由的度被采用。[从作者抽象]

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2010年第10期|117-120|共4页
作者
A. Rostami; H. Rasooli Saghai; H. Baghban; N. Sadoogi; Y. Seyfinejad;
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作者单位

photonic and Nanocrystal Research Lab (PNRL);

Faculty of Electrical and Computer Engineering;

University of Tabriz;

Tabriz 51664;

Iran;

School of Engineering Emerging Technologies;

University of Tabriz;

Tabriz 51664;

Iran;

Department of Electrical Engineering;

Islamic Azad University;

Tabriz Branch;

Sardrud Center Tabriz;

Iran;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体理论;薄膜的性质;
关键词
量子点阵列; 光电特性; 封盖; 非线性极化率; 光学性质; 电子输运; 电光效应; 边界层;

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