Characteristics Analysis of Vertical Double Gate Strained Channel Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor

杨媛; 李桂萍; 高勇; 刘静

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Characteristics Analysis of Vertical Double Gate Strained Channel Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor

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因为设备特征尺寸连续地缩小，显得各种各样设备和集成电路的制造和表演上的短隧道的效果。我们在场一扇垂直的双门(VDG ) 拉紧隧道异种结构 metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor (MOSFET ) 。有按比例缩小到 60nm 的有效的门长度的设备的电的特征被模仿。开车水流和跨导被 57.92% 和 54.53% 分别地改进的结果表演，和格子秋千被 36.83% 在他们的不勉强的对应物上减少。VDG MOSFET 展出一个更强壮的能力在传统的 MOSFET 上限制 short-channel-effects。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2009年第2期|259-262|共4页
作者
杨媛; 李桂萍; 高勇; 刘静;
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作者单位

Department of Electronic Engineering;

Xi'an University of Technology;

Xi'an 710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;电弧炉;
关键词
金属氧化物半导体场效应管; 电气特性; 频道; 双门; MOSFET; 异质; 应变; 立式;

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