Modeling of a Silicon Nanowire pH Sensor with Nanoscale Side Gate Voltage

Alireza Kargar

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Modeling of a Silicon Nanowire pH Sensor with Nanoscale Side Gate Voltage

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为 pH 察觉的一个硅 nanowire (Si-NW ) 传感器被介绍。设备的传导力是获得的经分解，证明传导力与减少的氧化物厚度增加。为了计算传感器，散开飘移模型和非线性的泊松的电的传导力， Boltzmann 方程被使用。改进传导力和敏感，有 nanoscale 方面门电压的一个 Si-NW 传感器被提供，它的特征理论上被完成。传导力和传感器敏感能被增加适当方面门电压提高，这被揭示。这效果与在文学的类似的制作结构相比，它与矩形的生气的节有一根电线。最后，传感器性能上的 NW 长度的效果被调查，在传感器敏感和 NW 长度之间的一种反的关系被完成。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2009年第6期|73-76|共4页
作者
Alireza Kargar;
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作者单位

Department of Electrical and Computer Engineering;

Shiraz University;

Shiraz 7134851156;

Iran;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212.2;TN304.12;
关键词
pH传感器; 硅纳米线; 栅极电压; Boltzmann方程; 电导传感器; 长度传感器; 建模; 氧化层厚度;

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