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Anisotropic Diffusion Evolution of Vacancies Created by Oxygen Etching on a Si Surface

         

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  • 来源
    《中国物理快报:英文版》 |2011年第7期|243-245|共3页
  • 作者

    WANG Shu-Hua; CAI Qun;

  • 作者单位

    State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433;

    College of Sciences, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 200233;

    State Key Laboratory of Surface Physics and Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433;

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  • 正文语种 chi
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