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Novel Bismuth Nanotubes

         
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摘要

Theoretical investigations show that bismuth nanotubes are semiconductors for all diameters. For smalldiameter bismuth nanotubes, the band structures and bandgaps vary strongly with the strong hybridization effect. When the diameters are larger than 18 A, the bandgaps ofBi (n, n) and (n, 0) nanotubes approach 0.63 e V, corresponding to the bandgap of bismuth sheet at the Γ point. Thus, bismuth nanotubes are expected to be a potential semiconductor nanomaterial in future nanoelectronics.

著录项

  • 来源
    《中国物理快报：英文版》 |2002年第12期|1785-1787|共3页
  • 作者

    苏长荣; 李家明;

  • 作者单位

    Department of Physics, Center for Atomic and Molecular Nanosciences, Tsinghua University, Beijing 100084;

    Department of Physics, Center for Atomic and Molecular Nanosciences, Tsinghua University, Beijing 100084;

    Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

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