GaN-Based Thin Film Vertical Structure Light Emitting Diodes Fabricated by a Modified Laser Lift-off Process and Transferred to Cu

著录项

• 来源
  《中国物理快报：英文版》 |2010年第12期|P.177-180|共4页
• 作者

  孙永健; 于彤军; 贾传宇; 陈志忠; 田朋飞; 康香宁; 连贵君; 黄森; 张国义;

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• 作者单位

  State;

  Key;

  Laboratory;

  for;

  Mesoscopic;

  Physics;

  School;

  of;

  Peking;

  University;

  Beijing;

  100871;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN312.8;
• 关键词

  发光二极管; 垂直结构; 激光剥离; 氮化镓; 剥离工艺; 薄膜; 制备; YAG激光;

  机译：发光二极管;垂直结构;激光剥离;氮化镓;剥离工艺;薄膜;制备;YAG激光;