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面向NAND Flash存储的纠错编码技术概述

         
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摘要

对面向NAND Flash存储的纠错编码技术进行综述.首先,介绍NAND Flash的内部结构及其出错机制.然后,对目前常用的4种纠错编码技术(Hamming码、RS码、BCH码以及LDPC码)原理及现状进行详细介绍.最后,对比分析这4种纠错编码技术的优缺点以及未来的发展趋势.%This paper presented a review on the error correction code (ECC) technologies for NAND flash memory.Firstly,we introduced the internal structure and error mechanism of NAND flash.Then,we introduced the current four ECC technologies including Hamming code,RS code,BCH code and LDPC code and presented the research status.Lastly,the analysis and comparison among these four technologies were presented.

著录项

  • 来源
    《计算机与现代化》 |2017年第11期|35-40|共6页
  • 作者

    彭福来; 于治楼; 陈乃阔; 耿士华; 毕研山;

  • 作者单位

    山东超越数控电子有限公司;

    山东济南250104;

    山东省特种计算机重点实验室;

    山东济南250104;

    山东超越数控电子有限公司;

    山东济南250104;

    山东省特种计算机重点实验室;

    山东济南250104;

    山东超越数控电子有限公司;

    山东济南250104;

    山东省特种计算机重点实验室;

    山东济南250104;

    山东超越数控电子有限公司;

    山东济南250104;

    山东省特种计算机重点实验室;

    山东济南250104;

    山东超越数控电子有限公司;

    山东济南250104;

    山东省特种计算机重点实验室;

    山东济南250104;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体集成电路存贮器;
  • 关键词

    纠错编码; NAND Flash存储; BCH码; LDPC码;

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