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谢长生; 李博; 陆晨; 王芬;
华中科技大学计算机学院;
武汉光电国家实验室;
武汉;
430074;
辛辛那提大学电子工程系;
美国辛辛那提;
45221;
固态存储器; Flash转换层; 擦除操作; 随机写;
机译:Z-MAP:具有固态硬盘工作负载分类的基于区域的闪存转换层
机译:SRAM基于SRAM的FPGA的SEU硬化电路的设计与表征
机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
机译:45nm 0.5V 8T列交错式SRAM,带有片内基准选择环路,用于读出放大器
机译:基于SRAM的片上存储器的轻量级容错
机译:基于轻量级固态硬盘模型的大货车安全预警系统
机译:超低功耗SRAM和SRAM基于PUF设计
机译:基于单事件翻转发生率的基于sRam的FpGa设计中的容错实现
机译:重建固态硬盘闪存转换层表的方法
机译:固态硬盘及其闪存转换层表的重建方法
机译:耐用性转换层(ETL)和临时文件的转移可减少超级耐用型固态硬盘的闪存磨损
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