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姜游;
中铁十七局集团第一工程有限公司 山东青岛 266555;
弃碴场; 稳定性分析; 渗流分析; 极限平衡分析;
机译:隧道电流和沟道电阻对sub-20- / spl Aring /栅氧化物MOSFET的沟道反型层电荷和多晶硅栅耗尽特性的影响
机译:重掺杂砷和硼的Si表面上外延沟道质量的改善以及对隧道场效应晶体管性能的影响
机译:边缘场对具有高栅介质的p沟道隧道场效应晶体管器件性能的影响
机译:CRTS II型无碴轨道的神经网络温度场映射模型
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:Co20Fe60B20 MgO Co20Fe60B20垂直磁隧道结的退火稳定性研究
机译:在n型锗沟道中电旋转积累 使用肖特基隧道触点
机译:东煤矿露天煤矿弃土稳定性研究。第1卷
机译:隧道施工中的弃土装载机-由伸缩式摆臂组成,用于清除挖掘工作到倾斜的装载平台上产生的弃土
机译:具有增强型NMOS和凹陷型MOS的半导体集成电路器件,该凹陷型MOS具有N型沟道杂质区和在N型沟道杂质区下方的P型杂质层
机译:具有N型沟道杂质区和P型杂质层的N型沟道杂质区下具有增强型NMOS和压陷型MOS的半导体集成电路器件
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