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美国军标MIL-STD-883D方法1019.4电离辐射(总剂量)试验程序

         

摘要

一、目的本试验程序定义了钴60γ射线源对已封装好的集成电路进行电离辐射(总剂量)效应的要求。本程序提供评估低剂量率电离辐射对器件影响的加速老化试验。在器件有显著的时间相关效应的低剂量率或一些其他应用中,这个试验是很重要的。这个程序仅适用稳态辐照,而不适合脉冲辐照(瞬态辐照)。

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