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齐梦珂; 李孟辉; 程一民; 潘虹芝; 曹亮; 牟笑静;
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室;
中国电子科技集团公司第二十六研究所;
谐振器; 声波激励; 氮化铝钪; 温度稳定性; 机电耦合系数;
机译:通过PLD沉积用于表面声波的AlN,ZnO薄膜和AlN / ZnO或ZnO / AlN多层结构
机译:表面声波器件在AlN / LiNbO_3薄膜/衬底结构上的色散特性
机译:通过原位X射线衍射测量研究宽温度范围内的AlN薄膜晶体特性:与基于AlN /蓝宝石的SAW结构性能的关系
机译:智能超声波传感器系统:高频超声智能超声波传感器激发铝氮化铝薄膜的研究:高频超声波激发铝氮化铝薄膜的研究
机译:水锤激发圆柱状隔膜振动声波的频谱特性研究。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:硅衬底上分子喷射外延生长AlN薄膜的性能研究:在声谐振器中的应用以及硅上集成异质结构的观点
机译:alN,GaN和选择的siC多型组合的假晶半导体异质结构:理论进展及其与成核,生长,表征和器件开发实验研究的协调
机译:使用氮化铝(AlN)/氢化氮化铝(AlN:H)/氮化铝(AlN)的三层薄膜制造表面声波滤波器的方法
机译:异质结构层压薄膜,制备异质结构层压薄膜的方法和包含异质结构层压薄膜的半导体器件
机译:用于沉积压电薄膜的ALN ALN方法,该方法是ALN的压电薄膜
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