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二维Bi_(2)O_(2)Se的制备与光学表征研究进展

         

摘要

二维(2D)半导体材料Bi_(2)O_(2)Se由于具有独特的晶体结构与能带结构、超高的载流子迁移率和优异的稳定性,在紫外-可见-近红外光谱区的高性能电子与光电应用领域有着广阔的前景。本文综述了Bi_(2)O_(2)Se的材料制备与光学表征最新研究进展:首先,介绍了2D Bi_(2)O_(2)Se的制备方法及生长机理,包括化学气相沉积法(CVD)、湿化学工艺、分子束外延法(MBE)和脉冲激光沉积法(PLD)等;其次,介绍了其晶体结构和电子能带结构的基本性质;接下来,通过稳态光谱的研究,可以对2D Bi_(2)O_(2)Se随厚度变化的带隙等物理性质进行研究;通过研究其晶体振动模式,可进一步研究2D Bi_(2)O_(2)Se材料的缺陷形态、温度系数与热导率;此外,超快光谱技术也可以帮助研究2D Bi_(2)O_(2)Se材料内部载流子的弛豫过程与输运性能;最后,简述了当前Bi_(2)O_(2)Se研究面临的挑战与应用的前景。

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