退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响

耿方娟; 杨磊; 朱嘉琦

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退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响

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CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备,为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性,本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品,并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品,对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明,层层退火方式有效提高了样品的结晶度,而后退火方式则有利于薄膜表面CuI的二维平面移动,从而增加了薄膜表面的致密性。后退火方式将CuI薄膜的透过率提高至80%~90%,层层退火方式将CuI薄膜的电阻率优化至0.034Ω·cm。

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来源
《人工晶体学报》 |2023年第5期|842-848|共7页
作者
耿方娟; 杨磊; 朱嘉琦;
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作者单位

哈尔滨工业大学航天学院;

哈尔滨工业大学分析测试中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
P型; CUI; 后退火; 层层退火; 透过率; 电学性能; 光电性能;

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