Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展

杨学林; 沈波

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Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展

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Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。

著录项

来源
《人工晶体学报》 |2023年第5期|723-731|共9页
作者
杨学林; 沈波;
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作者单位

北京大学宽禁带半导体研究中心;

北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;

教育部纳光电子前沿科学中心;

量子物质科学协同创新中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
Si衬底上GaN; 金属有机化合物化学气相沉积; 应力; 位错; 射频损耗;

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