一种高集成低辐射的隔离DC-DC变换器

杨靖; 马春宇; 孙瑞亭; 张峰; 费健

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一种高集成低辐射的隔离DC-DC变换器

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通过MEMS工艺与0.18 um BCD工艺的深度融合,设计了一种基于片上变压器的两芯片集成式隔离DCDC变换器.该隔离DC-DC变换器隔离耐压5 kVrms,输入电压为3 V-5.5 V,输出电压3.3 V/5 V,峰值效率和最大输出功率分别为29%和0.5 W,SOP-8封装,体积为7.67 mm*5.8 mm*1 mm.采用随机跳频技术,通过5-bit跳频模块控制振荡器的谐振频率在145 MHz-195 MHz范围内随机切换,从而降低其电磁辐射,测试表明辐射峰值最大降低25 dBuV.

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来源
《微电子学与计算机》 |2023年第9期|114-118|共5页
作者
杨靖; 马春宇; 孙瑞亭; 张峰; 费健;
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作者单位

中国科学院自动化研究所国家专用集成电路设计工程技术研究中心;

北京中科格励微科技有限公司模拟开发中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 PNPN四层结构器件;
关键词
自适应栅极控制; 高度集成; 随机跳频; 隔离DC-DC变换器;

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