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孙英龙; 郑丽丽; 张辉;
清华大学航天航空学院;
清华大学工程物理系;
准单晶硅铸锭; 阶跃分布孔隙率; 籽晶熔化; 堆积硅料; 界面形状; 熔化状态;
机译:铁杂质回扩散对籽晶生长单晶硅籽晶界面附近寿命分布的影响
机译:使用硅籽晶和源晶通过多组分区域熔化法生长的富硅SiGe单晶的成分变化
机译:在单向凝固炉中单晶硅的籽晶生长过程中减少坩埚壁附近的多晶区域
机译:iDSS炉中准单晶硅太阳能电池铸锭过程的数值分析
机译:突发沼泽中的垃圾堆积:调查垃圾对湿地无脊椎动物的影响以及控制垃圾分布和堆积的过程
机译:快速固化碳纤维预浸料在热成型过程中纤维变形和可成形性的实验和数值研究:堆积顺序和模具几何形状的影响
机译:氧化铝含量,总孔隙率和温度对硅铝和铝质耐火材料的热导率的同时影响氧化铝含量,总孔隙率和温度对硅铝和铝质耐火材料的热导率的同时影响
机译:硅氧化物中的阴离子pt在低氧逸度下熔化:形成,分配和对小行星核心形成过程的影响。
机译:区域熔化法生产硅单晶,包括在熔化棒下端的熔化区熔化块状材料,并使熔化区与籽晶接触,从而使单晶在籽晶上生长。
机译:单晶硅生产方法,单晶硅晶片生产方法,用于生产单晶硅的籽晶,单晶硅锭和单晶硅晶片
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