原子层沉积技术选择性修饰Mo/HZSM-5对甲烷无氧芳构化反应的影响

机译：Mo / HZSM-5催化剂上NH_4OH萃取前后在无氧条件下甲烷的脱氢和芳构化

机译：TG和程序升温技术研究Mo / HZSM-5催化剂在甲烷脱氢芳构化中形成的碳质沉积物

机译：氢气对Mo / HZSM-5预渗碳和甲烷脱氢芳构化反应中焦炭去除和催化性能的影响

机译：Mo / HZSM-5上流化床反应器中的甲烷脱氢芳构化

机译：HZSM-5和镓/ HZSM-5催化剂上的丙烷芳构化：催化剂设计的观点。

机译：Mo / ZSM-5催化甲烷脱氢芳构化过程中通过氧气脉冲进行选择性焦燃烧

机译：Mo / HZSM-5催化剂在非氧化甲烷芳构化反应中碳沉积的研究

机译：含有HZsm-5沸石的镓的丙烷芳构化

机译：HZSM-5微孔和中孔支撑的金属氧化物催化甲烷和丙烷脱氢芳构化的方法及用催化剂制备BTX的方法

机译：在基板上产生隔离薄膜的过程包括基板上硅原子层的原子沉积，基板上硅原子层上的氧原子层和基板上金属原子层的原子沉积，金属原子层上的氧原子层的原子沉积。

机译：MOS技术中的自调整接触窗-Obdd。通过使用纯三氟甲烷的反应性离子束选择性地将二氧化硅层蚀刻至氮化硅停止层