双层MoS_(2)/VS_(2)范德瓦耳斯异质结中界面特性的改善与光学性能的提升

潘乘风; 时安琪; 孙大中; 李沙沙; 王冰; 牛相宏

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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了不同层数MoS_(2)和VS_(2)堆垛形成的范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性能。通过从头算分子动力学验证了两种异质结在室温下的稳定性。此外,两种异质结均显示p型肖特基接触,但相较于单层MoS_(2)构成的异质结,在双层MoS_(2)和VS_(2)堆垛形成的异质结中,势垒高度从0.36 eV显著降低到0.08 eV,有效地形成了低接触电阻,有助于降低载流子输运损失的能量。光吸收光谱的计算表明,双层MoS_(2)构成的异质结具有更高的吸收峰值。研究成果对基于MoS_(2)的异质结设计以及在高性能光电器件方面的应用提供了理论依据。

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来源
《人工晶体学报》 |2023年第11期|2007-2013|共7页
作者
潘乘风; 时安琪; 孙大中; 李沙沙; 王冰; 牛相宏;
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作者单位

南京邮电大学理学院;

南京邮电大学材料科学与工程学院;

河南大学物理与电子学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
密度泛函理论; MoS_(2); 电子结构; 范德瓦耳斯异质结; 肖特基势垒; 光吸收;

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