基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计

唐昭焕; 甘明富; 钟怡; 谭开洲; 刘勇; 杨永晖; 胡刚毅; 徐学良; 李荣强

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基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计

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提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管。该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制。

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来源
《微电子学》 |2011年第2期|285-288|共4页
作者
唐昭焕; 甘明富; 钟怡; 谭开洲; 刘勇; 杨永晖; 胡刚毅; 徐学良; 李荣强;
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作者单位

中国电子科技集团公司第二十四研究所;

重庆400060;

模拟集成电路重点实验室;

重庆400060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
半导体器件; NPN管; 多晶外基区; 集电极选择性注入;

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