基于Volterra级数的HBT功率放大器负载阻抗的优化设计

滑育楠; 梁聪; 张晓东; 高怀

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基于Volterra级数的HBT功率放大器负载阻抗的优化设计

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利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2μmInGaP/GaAs HBT半导体工艺进行流片。测试结果表明,设计的功率放大器在不影响输出功率和功率附加效率的前提下,线性度得到较大改善,IP3提高6 dB,与理论分析及计算机仿真结果相吻合。

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来源
《微电子学》 |2010年第6期|844-847|共5页
作者
滑育楠; 梁聪; 张晓东; 高怀;
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作者单位

东南大学国家ASIC系统工程中心;

南京210096;

苏州工业园区教育投资发展有限公司;

苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心;

江苏苏州215123;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN722.75;
关键词
功率放大器; Volterra级数; 负载阻抗; InGaP/GaAs; HBT;

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