深槽对0.35 μm CMOS管抗闩锁性能的影响研究

冯霞; 张霞

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深槽对0.35 μm CMOS管抗闩锁性能的影响研究

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相比于P+衬底CMOS工艺,P-衬底0.35μm BiCMOS工艺中CMOS管的抗闩锁性能更差。为了提高CMOS管的抗闩锁性能,利用光触发方式,基于Medici器件,仿真研究了BiCMOS工艺中深槽对CMOS管闩锁性能的影响。结果表明,深槽可以提高CMOS管的抗闩锁性能。在光触发脉冲宽度为50ns,深槽深度为3、5、7μm时,深槽BiCMOS工艺中CMOS管的闩锁触发电流分别是无深槽BiCMOS工艺中CMOS管的3.13,6.88,11.12倍。

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来源
《微电子学》 |2018年第4期|529-532|共4页
作者
冯霞; 张霞;
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作者单位

中电科技集团重庆声光电有限公司;

重庆401332;

中国电子科技集团公司第二十四研究所;

重庆400060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
闩锁; 深槽; BiCMOS;

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