一种用于NAND闪存的奇偶位线块编程补偿算法

门顶顶; 曹华敏; 王颀; 霍宗亮

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一种用于NAND闪存的奇偶位线块编程补偿算法

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为改善数据保持干扰和编程干扰对NAND闪存可靠性的影响,提出了一种新的奇偶位线块编程补偿算法。该算法利用编程干扰效应来补偿由数据保持引起的阈值漂移,修复NAND闪存因数据保持产生的误码,提高了NAND闪存的可靠性。将该算法应用于编程擦除次数为3k次的1x-nm MLC NAND闪存。实验结果表明,在数据保持时间为1年的条件下,与传统奇偶交叉编程算法相比,采用该补偿算法的NAND闪存的误码降低了93%;与读串扰恢复算法相比,采用该补偿算法的NAND闪存的误码下降了38%。

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来源
《微电子学》 |2018年第4期|500-503|共4页
作者
门顶顶; 曹华敏; 王颀; 霍宗亮;
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作者单位

中国科学院大学;

北京100049;

中国科学院物联网研究发展中心;

江苏无锡214135;

中国科学院微电子研究所;

北京100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
NAND闪存; 数据保持; 编程干扰; 阈值漂移补偿; 可靠性;

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