N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究

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• 来源
  《微电子学》 |2018年第4期|515-519|共5页
• 作者

  赵强; 徐骅; 刘畅咏; 韩波; 彭春雨; 王静; 吴秀龙;

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• 作者单位

  安徽大学电子信息工程学院;

  合肥230601;

  阜阳师范学院计算机与信息工程学院;

  安徽阜阳236037;

  中国电子科技集团公司第二十四研究所;

  重庆400060;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 场效应器件;
• 关键词

  PMOS; 单粒子瞬态; 工艺波动; 掺杂浓度; N阱;