常压微氧环境下炭纤维表面原位生长SiC层及其氧化行为研究

姜定宇; 苏哲安; 黄启忠; 谢翔旻; 徐平; 曾晨; 伍小威; 李宇豪; 刘瑞瑞

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常压微氧环境下,以Si粉为硅源,采用低成本、工艺简单的表面原位反应法,在M40J炭纤维表面原位生长SiC层。通过场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪、热重分析仪等仪器对M40J炭纤维和SiC层包覆炭纤维进行表征,研究在常压微氧环境下不同工艺条件得到的SiC层对炭纤维抗氧化性能的影响。结果表明:在炭纤维表面制得的SiC层连续均匀、致密无空隙,厚度为0.218~0.508μm。综合考虑,制得SiC层的最佳试验条件:升温速率5℃/min,保温温度1 350℃,保温时间1 h。制得的SiC层包覆炭纤维相比于原炭纤维,起始氧化温度从470℃提高至690℃,提高约220℃,抗氧化性能提升效果明显。

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来源
《炭素技术》 |2020年第2期|24-29|共6页
作者
姜定宇; 苏哲安; 黄启忠; 谢翔旻; 徐平; 曾晨; 伍小威; 李宇豪; 刘瑞瑞;
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作者单位

中南大学粉末冶金国家重点实验室;

长沙410083;

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正文语种 chi
中图分类金属－非金属复合材料;
关键词
炭纤维; 微氧环境; SiC层; 抗氧化性能;

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