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姜霖; 张亮; 刘志权;
中国科学院金属研究所;
沈阳110016;
中国科学技术大学材料科学与工程学院;
江苏师范大学机电工程学院;
徐州221116;
中国科学院深圳先进技术研究院先进电子材料国际创新研究院;
深圳518055;
扩散焊; Al中间层; Ni(V)过渡层; 焊接残余应力; Co靶材; 有限元模拟;
机译:Al / Cu和Cu / Al摩擦搅拌点焊接接头的焊接性,微观结构和残余应力与Zn中间层
机译:具有Cu / Ni / Cu中间层的Al2 sub> O3p sub> / 6061Al复合材料的TLP键合接头界面结构的演变
机译:Zr-al-ni-cu合金靶材制备金属玻璃溅射膜的结构
机译:焊接Al-Si-12Cu合金中的残余应力和微观结构表征
机译:Ti6Al4V-Al3Ti金属间金属层合复合材料损伤和残余应力演变的研究。
机译:W / 2024Al复合材料的界面微观结构和CeO2掺杂抑制W-Al直接反应:Al-Ce-Cu-W非晶层的形成和结晶
机译:沉积和轧制的钢丝+电弧增材制造Ti-6Al-4V组件的残余应力
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。
机译:在al-ni-la-si系统的al-base上溅射合金的靶材及其生产方法。
机译:太阳能电池的结构层是基于(Zn,In,Al)O的透明电极层,以及基于ZnO-In2O3-Al的溅射靶材,用于形成(Zn,In,Al)O的透明电极层
机译:残余应力低的Al-Cu-Mg钣金
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