上海微系统所发现锗基石墨烯取向生长物理机制

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近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在锗基石墨!烯的取向生长机制方面取得进展。课题组研究人员发现衬底表面原子台阶对于石墨烯取向生长的重要性,并且与华东!!师范大学合作借助于第一性原理DFT理论计算分析得到石墨烯单晶畴在（110）晶面的锗衬底上取向生长的物理机理,为获得晶圆级的单晶石墨烯材料奠定了实验与理论基础,有助于推动石墨烯材料真正应用于大规模集成电路技术。

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《炭素技术》 |2016年第3期|60-60|共1页
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正文语种 chi
中图分类 TQ174.758;
关键词
取向生长; 微系统; 石墨; 物理机制; 上海; 国家重点实验室; SOI材料; 锗;

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