集成电路氧化层失效定位技术研究

陈选龙; 杨妙林; 李洁森; 刘丽媛; 黄文锋

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介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点。结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位。最终,采用制样和物理分析方法,找到失效原因。案例分析表明,该方法精确、快速,可应用于CMOS集成电路的栅氧化层、双极集成电路的MOS电容氧化层、GaAs集成电路的MIM电容的失效定位,减少了后续FIB或RIE等物理分析方法的工作量,提高了失效分析的成功率。

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来源
《微电子学》 |2018年第4期|560-564|共5页
作者
陈选龙; 杨妙林; 李洁森; 刘丽媛; 黄文锋;
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作者单位

工业和信息化部电子第五研究所;

广州510610;

中国赛宝实验室可靠性研究分析中心;

广州510610;

中山大学电子与信息工程学院;

广州510275;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;可靠性及例行试验;
关键词
集成电路; 氧化层缺陷; 失效分析; 光发射显微镜; 光致电阻变化;

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