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刘丹; 黄晟; 黄中浩; 刘毅; 陈启超; 吴旭; 吴良东; 闵泰烨; 王灿; 樊超; 张淑芳; 方亮;
重庆京东方光电科技有限公司;
重庆400700;
重庆大学物理学院;
重庆400044;
中国科学院大学重庆学院;
重庆400714;
重庆大学计算机学院;
重庆电子工程职业学院;
重庆401331;
薄膜晶体管; 栅极光刻; 减压真空干燥; 全因子实验; 关键尺寸; 坡度角;
机译:源代到栅极和漏极 - 栅极重叠长度对蚀刻停止器的倒置交错A-IGZO TFT性能的影响
机译:根据TFT结构比较双栅极a-HIZO TFT的电性能和偏置稳定性
机译:通过使用具有浮动和偏置次级栅极的双栅极配置来实现基于高性能氧化物TFT的反相器
机译:栅极(3T)和独立(4T)双栅极MOSFET对栅极和通道工程对数字性能参数的影响
机译:栅极氧化物降解对硅和碳化硅功率MOSFET的电参数的影响
机译:AFM纳米光刻制造的p型双栅极和单栅极无结累积晶体管的电性能比较和电荷传输
机译:具有高浓度前体的高性能,高性能,加工,无定形ZrO2栅极绝缘体TFT的简单方法
机译:测量散射对光刻系统性能的影响
机译:利用含HF或CF4的附着剂,在不影响金属膜去除工艺对栅极电极的情况下,制造具有晶体活性层的TFT的方法
机译:浸入式光刻设备的性能测试工作参数的方法和检测浸入液从浸入式光刻设备中浸出液体的方法
机译:用于确定栅极导体的光刻图案如何影响晶体管特性的测试结构
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