全部耗尽SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究

徐小波; 李瑞雪

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全部耗尽SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究

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研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构。首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处。然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电结渡越时间模型。最后,讨论了渡越时间与集电区掺杂浓度、集电结电压、传输电流的关系,并与传统器件的渡越时间进行了比较。该渡越时间模型的建立为SOI SiGe HBT特征频率的设计与优化提供了理论基础。

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来源
《微电子学》 |2018年第4期|496-499|共5页
作者
徐小波; 李瑞雪;
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作者单位

长安大学电子与控制工程学院;

西安710064;

道路交通检测与装备工程技术研究中心;

西安710064;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
SiGe; 绝缘体上硅; BiCMOS;

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