低误差开关电流存储单元

房体友; 何怡刚; 赵文山

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详细分析了限制开关电流(SI)精度的主要误差,在共源-共栅组态存储单元的基础上,根据在开关晶体管关断前消除反型层可以改善电荷注入误差的原理,提出一种新型低误差开关电流存储单元。其主要思想是通过消除开关晶体管沟道内的可动电荷、降低存储单元的输出电导,以改善电荷注入误差和电导比误差。采用TSMC 0.25μm CMOS模型参数进行HSPICE仿真,结果表明,该结构能够很好地降低电路误差,提高开关电流电路的精度。

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来源
《微电子学》 |2011年第2期|269-273|共5页
作者
房体友; 何怡刚; 赵文山;
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作者单位

湖南大学电气与信息工程学院;

长沙410082;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类线性集成电路、模拟集成电路;
关键词
开关电流; 存储单元; 共源-共栅; 反型层; 电导比误差;

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