掺氮纳米金刚石膜的制备和性能

王延平; 王兵; 熊鹰; 周亮

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掺氮纳米金刚石膜的制备和性能

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以Ar、CH_4和CO_2为反应气源,以三聚氰胺的甲醇饱和溶液为掺杂源,用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅基体上制备了掺氮的金刚石薄膜;用原子力显微镜、拉曼光谱以及霍尔效应测试仪等手段表征了膜的组成结构和半导体特性。结果表明:掺氮的金刚石薄膜晶粒平均尺寸约为20nm,表面粗糙度约为8.935nm,其拉曼光谱为典型的纳米金刚石膜特征峰形;掺氮膜材的电导率高达0.76×10~2Ω^(-1)cm^(-1),载流子浓度达到2.18×10^(19)/cm^3,是一种导电性能优良的n型半导体纳米金刚石膜。

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来源
《材料研究学报》 |2011年第2期|147-150|共4页
作者
王延平; 王兵; 熊鹰; 周亮;
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作者单位

西南科技大学材料科学与工程学院;

绵阳621010;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
无机非金属材料; 微波等离子体; 化学气相沉积; n型掺杂; 纳米金刚石薄膜;

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