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22×40mm~2薄片硅探测器

         

摘要

用气泡腐蚀法制备有效面积为22×40mm~2、厚度在50~100μm 之间的硅薄片,成功率按近100%。用该薄片制出的Au—Si 面垒探测器,在全耗尽工作电压下,能量分辨为70.8KeV。

著录项

  • 来源
    《原子核物理评论》 |1990年第1期|51-51|共1页
  • 作者

    晁致远; 鲍志勤;

  • 作者单位

    中国科学院近代物理研究所;

    中国科学院近代物理研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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