＜正＞ O482.31 2003064431制备及钝化条件对多孔硅发光性能的影响=Influences ofpreparation and passivated conditions on the luminescence properties of porous silicon[刊,中]/李宏建（湖南大学光电子材料研究所.湖南,长沙（410082））,赵楚军…∥光电子·激光.-2003,14（1）.-54-57研究了氧化电流密度对多孔硅（PS）PL谱的影响。结果表明,随着氧化电流密度增大,PS的微晶Si平均尺寸减小,且尺寸大的微晶Si数量也减少,说明制备条件对钝化PS的发光有影响。PS经适当的高温氧化处理后,其PL谱会发生明显变化,选用含有胺基的正丁胺,采用射频辉光放电法对PS进行钝化处理,在一定程度上提高了PS的发射强度伴随发光峰位的较大蓝移;其钝化PS的荧光谱随钝化温度和钝化时间变化,说明钝化条件对钝化PS的发光有直接影响。由此,可以通过调节制备和钝化
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