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＜正＞采用ZYGO Markm一GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO:薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO:薄膜残余应力的影响。实验结果表明,随着沉积温度及沉积速率的升高,Zr（）:薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力,且压应力值随着沉积温度升高而增大。同时

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《中国光学(中英文)》 |2004年第4期|68-68|共1页
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正文语种 chi
中图分类 O484.41;
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