＜正＞ O434.1 2003043033 强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除=Radiation-induced interface states of Si-SiO2 by intensepulse X-ray and their annealing[刊,中]/杨志安（济南大学理学院.山东,济南（250022））,靳涛…∥强激光与粒子束.-2002,14（4）.-521-525利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示:经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为。退火实验表明,强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象。图2参
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