制膜技术与装置

         

摘要

<正> O484.41 2003042950ZnO薄膜制备及其发光特性研究=Preparation and propertyinvestigations of magnetron sputtered zinc oxide thinfilms[刊,中]/王晶(北方交通大学光电子技术研究所信息存储,显示与材料开放实验室.北京(100044)),张希清…∥光电子·激光.-2002,13(11).-1116-1119用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230℃、退火温度

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    《中国光学(中英文)》 |2003年第4期|72-73|共2页
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  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O484.41;
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