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光学薄膜参数、测试及设备

         

摘要

<正> O484.5 94032127表西光电压法测量 a—Si:H 少子扩散长度的进一步研究=The further study on measuring diffu-sion length of minority carrier in a—Si:Hwith SPV method[刊,中]/张治国(内蒙古师范大学物理系),宿晶厚(北京工业大学电子工程系)∥太阳能学报.—1993,14(4).—348~356

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  • 来源
    《中国光学(中英文)》 |1994年第3期|74-75|共2页
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  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O484.41;
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