半导体激光器

         

摘要

<正> TN248.4 990101441.3 μm半导体激光器氖原子激发态跃迁"光电流"效应的稳频技术研究=Research on frequency stabilizedtechnique made use of photogalvanic effectin excited state transition of Ne atom for 1.3μm semiconductor lasers[刊,中]/蔡伯荣,王瑞峰,

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